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Valley-dependent Brewster angles and Goos-Hanchen effect in strained graphene

机译:谷依赖布鲁斯特角和古斯汉欣效应紧张   石墨烯

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摘要

We demonstrate theoretically how local strains in graphene can be tailored togenerate a valley polarized current. By suitable engineering of local strainprofiles, we find that electrons in opposite valleys (K or K') show differentBrewster-like angles and Goos-H\"anchen shifts, exhibiting a close analogy withlight propagating behavior. In a strain-induced waveguide, electrons in K andK' valleys have different group velocities, which can be used to construct avalley filter in graphene without the need for any external fields.
机译:我们从理论上证明了石墨烯中的局部应变如何可以定制以产生谷极化电流。通过对局部应变曲线进行适当的工程设计,我们发现相反谷(K或K')中的电子显示出不同的类似布鲁斯特角和Goos-H'“ anchen位移,与光的传播行为具有相似的相似性。在应变感应波导中,电子在K和K'谷中,谷具有不同的群速度,可用于在石墨烯中构建谷值滤波器,而无需任何外部场。

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